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《关于吸收》五:RC吸收

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nc965
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  • 2010-8-16 10:26:12
RC吸收是应用最为广泛的吸收形式之一。在很多场合也是很有效(效率和吸收效果)的吸收方式,甚至在某些场合是唯一可选择的吸收方式。
RC吸收是最简单的吸收方式。尽管如此,仍然缺乏有效的设计方法,工程上一般根据经验确定参数,存在很大的盲目性。
一、RC吸收的特点:
1、RC吸收是双向吸收。对于一个典型的被吸收电压波形中的上升沿、上升沿过冲、下降沿这三部分,RC吸收电路都会产生吸收功率。然而一般情况下我们都希望只对上升沿过冲实施吸收。这意味着RC吸收效率不高。
2、RC吸收是不完全吸收。这并不是说RC吸收不能完全吸收掉上升沿过冲,只是说这样做付出的代价太大。因此RC吸收最好给定一个合适的吸收指标,不要指望它能够把尖峰完全吸收掉。
3、RC吸收是能量的单向转移,就地转变为热,不能将电能转移出去。尽管如此,这并不意味着吸收电阻的损耗(发热能量)一定就会是从总效率中减去的损耗,在很多情况下,这个吸收电阻的发热增加了,与电路中另外某个器件的发热减少是相对应的,总效率不一定下降。也就是说,设计得当的RC吸收,在降低电压尖峰的同时也有可能提高效率。
blueskyy
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LV10
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  • 2010-8-16 10:29:03
 
占个沙发。。
顶默默
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LV6
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  • 2010-8-16 16:47:28
 
在布鲁斯基兄弟老师后面抢个板凳!
eric.wentx
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  • 2010-8-16 18:18:16
 
坐地下聽課, 沒人說了吧
WA000
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LV6
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  • 2010-8-16 21:22:38
 
我在你后面哈哈
hsym_101584
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  • 2010-8-18 10:39:52
 
作个记号
long223349
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LV6
高级工程师
  • 2014-11-2 19:37:50
 
/*********** 广告已删除 ***********/
long223349
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LV6
高级工程师
  • 2014-11-2 22:07:05
 
#广告已删除#
cyx7610
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LV10
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  • 2019-1-16 22:35:31
 
RC吸收是能量是能量的损耗。
nc965
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  • 2010-8-16 21:50:54
 
二、仿真验证电路
我们以最受关注的全桥拓扑副边整流二极管反压尖峰吸收电路为例,系统分析与RC吸收有关的影响。
电路初步参数为:输出功率1000W,输出电压245V,PWM周期40us(25KHz),占空比0.4



因为电压尖峰和吸收过程极为短暂,为尽可能精确地仿真尖峰及吸收过程的细节,我们将Saber的默认精度提高500倍:



采用线性变压器以获得变压器内在的漏感,偶合系数k=0.995(对应1%的典型漏感),原边电感Lp=1mH,匝比1:1。
在变压器原边连接C3、R3,尽可能地去等效绕组分布电容和变压器磁损。
以步长1us仿真5ms,以最后1ms的数据为观测结果。

Bridge8.rar

5.5 KB, 下载次数: 661, 下载积分: 财富 -2

Itersult
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LV3
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  • 2010-9-2 13:35:40
 
cyx7610
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LV10
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  • 2019-1-16 22:36:11
 
仿真结果怎样?
SCUEVZ
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  • 2019-6-21 16:44:04
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太赞了
nc965
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  • 2010-8-16 21:58:09
 
三、吸收电容C2的影响
采用不同的C2、对应不同的吸收效果和整机效率,一组数据如下:



可以看出:
1、并非吸收越多损耗越大,适当的吸收有一个效率最高点
2、吸收电容C2的大小与吸收功率(R2的损耗)呈正比关系。即:吸收功率基本上由吸收电容决定。
zkybuaa
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  • 2010-8-17 09:18:42
 
这几个效率值差别不大的,既然是仿真,跟实际值肯定有误差。
实测的效率,都未必能达到这种精度,仿真精确到这个效率,更难相信~
效率能错开1个百分点,可信度会更高点~
我对仿真结果不认同,但我认同李斑竹的第一条推论:并非吸收越多损耗越大,适当的吸收有一个效率最高点。
第二条推论得出的有些仓促,如何得知吸收电容C2的大小与吸收功率(R2的损耗)不会成抛物线关系?
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-17 09:57:59
 
对于全充全放型RC吸收,电阻一般选的不大(如果电阻过大那么吸收效果就很差),电容上电压等同于整流后电压,根据这个可以基本确定是比例关系。
nc965
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  • 2010-8-17 10:00:17
 
确如你说,仿真只是观测一种趋势,对于吸收这样的敏感问题的仿真,其参数的绝对值精确到多少位是没有意义的。
蒋江黔
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  • 2011-12-8 16:41:37
 
整这么多干嘛?正确的工程解决方法,不是去慢慢的试,也勿须什么仿真,通过简单的测量计算出杂散参数的特性阻抗,基本上一次就能得到最佳参数。。。
wangjinlongd
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LV6
高级工程师
  • 2012-12-18 11:55:51
 
建议蒋工开帖系统讨论下“通过简单的测量计算出杂散参数的特性阻抗,基本上一次就能得到最佳参数”这个专题,相信很多人都需要。
tanggangltt
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LV2
本网技师
  • 2011-7-16 15:00:23
 
R2上吸收的是脉冲尖峰,你怎么算出损耗的呀,可以详细点吗
nc965
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  • 2011-7-16 15:16:56
 
电压波形乘以电流波形就是损耗波形,其平均值就是损耗。
nc965
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  • 2010-8-17 09:26:11
 
四、吸收电阻R2的影响:
在吸收电容C2不变的情况下,改变吸收电阻R2的值,得到下面是一组数据:



可以看出:
1、吸收电阻的阻值对吸收效果干系重大,影响明显。
2、吸收电阻的阻值对吸收功率影响不大,即:吸收功率主要由吸收电容决定。
3、当吸收电容确定后,一个适中的吸收电阻可以(才能)达到最好的吸收效果,太大太小效果都不好。
4、当吸收电容确定后,最好的吸收效果发生在发生最大吸收功率处。换言之,哪个电阻发热最厉害就最合适。
5、当吸收电容确定后,吸收程度对效率的影响可以忽略。

下面是尖峰波形被吸收的过程的细节,我们来看看吸收电阻的阻值大小是如何影响吸收效果的。



可以做如下理解:
1、尖峰电压的本质是一种谐振现象。
没有吸收时(R2无穷大时)漏感与线路分布电容(结电容)形成高频谐振,第一个谐振高峰就是反压尖峰。
吸收电阻R2=0时,C2的存在大大增加了回路谐振电容,谐振频率大大降低,第一个谐振高峰就是新的反压尖峰。
2、适当的R2才能使谐振达到最大的阻尼,产生最大的吸收功率,获得最低的反压尖峰,即最佳吸收效果。这就是RC吸收的本质。
3、为什么在最佳吸收点后进一步减少吸收电阻会(明显)增加反压?这是因为R2越小吸收能量越小、而漏感能量因为C2的存在表现为更低的谐振频率,而在能量不减少的情况下频率越低意味着振幅越高,故反压提高。
4、适当的R2有一个比较宽松的范围,比如这里,R2=180~300Ω范围内都是可以接受的。
5、欲减少吸收功率,应该减小C2,而不是减小R2。
归纳一下:
吸收电阻 R2 有一个最佳值,才能获得最好的效果。希望每个工程师都记住这个图。
YTDFWANGWEI
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  • 2010-8-17 10:05:15
 
李工的这个电阻的选择仿真跟我的一贯理解有差别,我的好好理解理解,呵呵。
nc965
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  • 2010-8-17 10:19:28
 
这个差不多就是针对你面临的高压输出桥式整流二极管反压尖峰问题的,希望对你有帮助。
nc965
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  • 2010-9-13 17:48:07
 
晕!8楼图中又暗藏一个玄机!
hsym_101584
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LV6
高级工程师
  • 2010-9-14 08:21:41
 
期待版主解疑
nc965
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  • 2010-9-14 08:53:09
 
所有曲线都在51ns附近交叉,形成一个驻波点,不知道意味着什么?
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-9-14 09:12:46
 
你这点波形,是哪点的呢?
我觉得通过电压波形,通过同一点,毫不奇怪~
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-9-14 09:27:50
 
通过RC吸收,产生的是阻尼波,
震荡无非就是电感和电容产生的,这是个二阶震荡的环节~
通过加入RC吸收,影响了这个二阶震荡环节的阻尼比,并没有影响这二阶震荡环节的自然震荡频率~
nc965
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  • 2010-9-14 09:29:46
 
由于C的加入,RC吸收对谐振频率的影响是非常明显的,图中可以很明显地看到。
我的意思是说:51ns这个驻波点的存在是否可以为设计RC吸收提供某种计算方法?
zkybuaa
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LV8
副总工程师
  • 2010-9-14 09:37:52
 
我上面的说法有点问题,这个震荡频率,是加了RC之后的阻尼震荡频率,不再是自然震荡频率了~
51ns?这个数字的得出,会不会是因为仅仅就这个电路本身而言?
也就是说51纳秒,这个时间有点偶然,在别的电路就会是100ns?
还有就是这个波形,通过同一点的原因,先分析清楚,再继续讨论下去才有意义~
nc965
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  • 2010-9-14 09:44:38
 
是的,首先需要分析的是,是否所有RC吸收都会有这样一个驻波点?如果有,是如何形成的?
nc965
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  • 2010-9-17 01:41:29
 
仿真看来,所有RC吸收都有这个驻波点。谁来解读一下?
tanggangltt
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LV2
本网技师
  • 2011-7-16 11:23:37
 
这个图是一次性得到的吧,如果不是那岂不是要仿真5次再来叠加,很麻烦的呀
tanggangltt
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LV2
本网技师
  • 2011-8-7 22:20:55
 
请问这个图怎么弄出来的,不同rc画到一个图上,帮忙解释一下吧,谢谢
cyx7610
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LV10
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  • 2019-2-21 18:44:29
  • 倒数6
 
RC吸收电路都会产生吸收功率。
能源消耗
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LV8
副总工程师
  • 2016-7-23 09:32:49
 
有时候我们会把问题想的很复杂,实际上RC吸收有普遍规律,C值取小了,变化不大,刚才上图表C 470P为例,实际上C值取的太小了。整个表值就没有影响性的结果,大家都知道输出整流管耐压越低,内阻就更小,效率提高了,这样就要求有效的降低尖峰加大明显结果的吸收。吸收损耗就变大,2者是互补的。
比如5-24V输出的整流,C取值222-472是最有效果,那么R取值都有不同明显差异结果,10-22欧,尖峰不干净,47-56欧,波形尖峰效果最佳,干净。有个小平台。实际上输出电压幅度越高,R损耗越大(要求电阻功率越高),但有一点,R还是50-100欧  效果最佳,
结论:R取值与电源频率和其他说不出的因素有关,没有公式可以证实,仿真也是徒劳,只有动手,积累平时经验。R功率取值,最大功率,最高输入电压时,测R两端电压/电阻得出吸收电流。
本帖最后由 能源消耗 于 2016-7-23 09:34 编辑

cyx7610
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LV10
总工程师
  • 2019-1-16 22:37:46
 
RC吸收,R太小,C大,电阻发热,损耗大。
lansunhsu
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LV8
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  • 2010-9-17 09:06:06
 
请教一下:这个图,是怎么得到的?
1,你用的什么仿真软件?
2,这个可以一次性得到吗?还是将元件分别赋值,然后将多次仿真的结果叠加在一起。
nc965
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  • 2010-9-17 11:50:38
 
Saber2007,高精度仿真,将元件分别赋值,然后将多次仿真的结果叠加在一起
cyx7610
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LV10
总工程师
  • 2019-2-21 18:44:59
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实际上RC吸收有普遍规律,C值取小了,变化不大。
nk6108
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LV6
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  • 2011-7-16 16:57:21
 
吸收电阻太大了,还能吸到吗,电小了值,Q就高,当然容易震荡。
dxsmail
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LV8
副总工程师
  • 2012-12-19 17:36:06
 
这个图总结得很全面,而且一目了然。。。。
wpl215
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LV4
初级工程师
  • 2014-1-4 17:36:26
 
第三点,“因为C2的存在表现分为更低的谐振频率”C2不变漏感不变,谐振频率应该是不变啊,怎么会减小呢。这里感觉讲不通。
liweikang822
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高级工程师
  • 2015-8-19 22:51:51
 
尖峰下来了,二极管发热厉害
ckj_ck
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  • 2017-6-29 20:09:15
 
李工你好,请教一下

对于下文摘录,即李工您在9楼的原话,
第3条中,为何说R2越小,吸收能量越小呢?我的理解是:
R2越小,给电容充电的电流回路的阻尼便越小,自然C2吸收的功率就越大,RC吸收的能量自然也就越多了;
而且换种思路,用极限法来思考:
如果R2无穷大,那么自然RC吸收的能量为0,R2=0,则在反压期间,C2全全吸收反压能量。


-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

可以做如下理解:
1、尖峰电压的本质是一种谐振现象。
没有吸收时(R2无穷大时)漏感与线路分布电容(结电容)形成高频谐振,第一个谐振高峰就是反压尖峰。
吸收电阻R2=0时,C2的存在大大增加了回路谐振电容,谐振频率大大降低,第一个谐振高峰就是新的反压尖峰。
2、适当的R2才能使谐振达到最大的阻尼,产生最大的吸收功率,获得最低的反压尖峰,即最佳吸收效果。这就是RC吸收的本质。
3、为什么在最佳吸收点后进一步减少吸收电阻会(明显)增加反压?这是因为R2越小吸收能量越小、而漏感能量因为C2的存在表现为更低的谐振频率,而在能量不减少的情况下频率越低意味着振幅越高,故反压提高。
4、适当的R2有一个比较宽松的范围,比如这里,R2=180~300Ω范围内都是可以接受的。
5、欲减少吸收功率,应该减小C2,而不是减小R2。


ckj_ck
  • ckj_ck
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LV8
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  • 2017-6-29 21:31:52
 
对于李工您第3条的解释,我感觉这样说可能比较不容易产生误解。
在没有R的时候,表现出来的是自然振荡(漏感Llk和二极管的C并联RC吸收的C),
当加入R后,表现出来的变为阻尼振荡了,阻尼振荡的第一个波的波峰大小,与阻尼大小有关,
而当阻尼无穷大的时候,又还原成了自然振荡(漏感Llk和二极管的结电容C的振荡)。
所以我们要寻求的就是,夹在这两个自然振荡中间的一个满足我们的一个比较小的阻尼振荡的波峰。
而阻尼振荡的两个临界,即为上述的两个自然振荡,即相同波峰大小而频率不等的两个自然振荡。
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
注:上述论述中所说的自然振荡的前提:假设Vin内阻为0,绕组R=0,MOSFET的Rds(on)=0
nc965
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  • 2017-6-29 22:13:07
 
R2越小,吸收能量越小,这话的前提(前面)是:在最佳吸收点后进一步减少吸收电阻。
同样意思的一句话是:
R2越大,吸收能量越小,这话的前提
(前面)是:在最佳吸收点后进一步增加吸收电阻。

两句话都是一个意思:存在一个吸收能量最大(发热最厉害)的电阻值,偏离这个值,吸收能量都会变小,吸收效果都会变差。

这些话其实很容易理解:只要承认R=0和R=∞都不吸收能量,R都不发热,那一定有个介于0和∞之间的R阻值最发热。而且,这个最发热的阻值就是吸收效果最好的阻值。

ckj_ck
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LV8
副总工程师
  • 2017-6-29 23:22:55
 
李工,我有以下几点顾虑
1、虽说两端极限都是不吸收功率的,同时也对应最高的振荡峰值,但是我感觉这还是不足以证明R吸收最大功率的情况下,即为振荡峰值最小的时候,虽说李工您9楼的实测数据证明了这一点,但在实验数据有限的情况下,直接这么说总感觉心里不是非常有底。。可是想想用数学来证明它又对整个波峰的表达式无从下手
2、不是还有这么种情况么?RC吸收设计不当(是不是这种情况都是C取得过大了?因为C决定了R能吸收的最大功率),便会造成效率低很多,这个时候的R,总比RC吸收设计得当时候的R的发热量大吧?可尖峰未必更小呢吧?
3、假设第一条结论ok,那么R可以通过这个规律通过实验固定C来选取,那么C呢?嗯,看到20楼的实验法了,除了实验法,请教下李工现在有更直接一点的方法了么?



nc965
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  • 2017-6-30 07:38:46
 
1、对于一个特定的吸收对象(波形),和一个特定的C值,总有一个(而不是N个)R值对应最大吸收功率,这可以推论此RC网络呈最大阻尼状态,至于此时谐振尖峰是否最低,取决于谐振尖峰是否是具有最大的dv/dt(虽然典型情况都是如此)。
2、对于一个特定的吸收对象,对于每一个特定的C值,也都有一个实现最低谐振尖峰(最大吸收功率、最大阻尼状态)的R值。
C越大、最佳(最发热)以后尖峰越低的意思,直到把尖峰吸收完,或者把拓扑玩完。
意思是,你不想把拓扑玩完,只想把尖峰限制在某一个合理的水平,你可以按此思路倒推一个最小的C值。C就是这样确定的。
这时,你用这个最小C值、配合一个最大吸收的R值能达到的尖峰目的,你用一个更大的C值、配合一个偏离最大吸收的R值也可以达到同样的尖峰目的,但这个RC配合一定损耗更大,效率更低。
因此,最小C值配合最大吸收的R值,是RC吸收的最佳算法,效率最高。高到什么程度?高到不显著降低整机效率为宜。否则,就得另外评价尖峰,仅靠RC吸收解决不了问题。
3、我也一直想找到直接计算RC的算法,在已知某一个吸收状态尖峰的表现以后(即所谓状态参数),有可能直接推导出最佳RC值,但估计颇为复杂,没敢尝试。业界有人用所谓频率减半的算法,已经证明是不靠谱的,想当然而已。
ckj_ck
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  • 2017-6-30 21:06:39
 
至于此时谐振尖峰是否最低,取决于谐振尖峰是否是具有最大的dv/dt(虽然典型情况都是如此)
李工您的意思是不是指,只要最大尖峰是由这个谐振造成的,而不是其它分量造成的,那么此时尖峰就会是最低的?
如果最大尖峰是其它分量造成,那么调节这个谐振参数(RC吸收网络),当然是没用的了。
nc965
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  • 2017-6-30 22:28:55
 
不是这意思,任何情况下,调节RC吸收网络参数总是有用的。
见顶楼:RC吸收是双向吸收。对于一个典型的被吸收电压波形中的上升沿、上升沿过冲、下降沿这三部分,RC吸收电路都会产生吸收功率。
进一步引申:对于一个特定的吸收波形,RC吸收是不区分吸收对象的,波形中哪部分dv/dt大,它就偏重吸收哪部分的功率。
尽管你的本意是吸收DS波形开始的那个尖峰,但它可能对DS波形结束时的下降沿更感兴趣,产生更多的吸收功率,特别是当下降沿很陡峭时。
但大部分吸收波形,都是波形开始的那个谐振尖峰具有最大的dv/dt,这时,最大吸收功率才与最低尖峰相对应。
这些话的意思是:最低吸收尖峰也有可能与R的最大发热不相对应,或者说最低尖峰可能对应的是另一个R值。
但是,这个事情(这点差异)并不重要,其实我们并不需要把最大发热作为设计依据。首先发热量(在C确定后)是差不多的,很难区分;其次最大发热这个参数实际上是很难采集(解析)的。
实际上:在设计(调试)RC吸收参数时,只要我们用可变电阻器来调试RC,就很容易观察到尖峰波形与R的明确关系,很容易获得一个最佳吸收效果的R值。从而避免在上述问题上的纠结。
而且,RC吸收的最佳算法也没有改变:最小C值配合最大(对尖峰)吸收的R值
ckj_ck
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  • 2017-7-1 13:57:46
 
这下懂了,感谢李工细致的讲解
nc965
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  • 2017-7-1 15:39:30
 
其实有很多人并不理解这个事情。
ckj_ck
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  • 2017-7-1 19:45:41
 
有李工这么多细致的讲解,更多的人就能够进一步理解了
pxbfeng
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  • 2019-1-9 19:37:43
 
有时间都来听李老师讲课
nc965
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  • 2010-8-17 11:05:53
 
五、功率对吸收的影响
我们将功率扩大到2000W和减少到500W,分别观察在同样的吸收效果下达到最佳C2、R2配合时的情况



这一结果是符合逻辑的:
较大的功率需要一个较大的吸收电容配合一个较小的吸收电阻。
蒋江黔
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  • 2011-12-8 16:48:07
 
频率相等的情况下,功率大的电路,其杂散参数的储能也大,故特性阻抗也小,因此吸收电阻要小些。相同的时间常数要求下,电容反比增加。这是山人的一惯做法。
nc965
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  • 2010-8-17 11:06:25
 
六、频率对吸收的影响
我们保持1000W功率,将频率提高到50KHz和100KHz,分别观察在同样的吸收效果下达到最佳C2、R2配合时的情况



可以归纳为:
较高的频率需要一个较小的吸收电容配合一个较大的吸收电阻。这可能是因为频率较高时,分布电容的影响凸显,因而需要补充的电容成分较少的缘故。
魂晕死
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  • 2018-8-21 23:39:45
 
李工,您好。我想请问一下电阻阻值小,吸收功率高。电阻的发热问题怎么解决?
nc965
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  • 2010-8-17 11:07:13
 
七、电压对吸收的影响
我们保持1000W功率、25KHz频率,将输出电压降低到60V和15V,分别观察在同样的吸收效果下达到最佳C2、R2配合时的情况



这一结果在预料之中:
较低的电压需要一个显著较大的吸收电容,配合一个显著较小(具有较宽的取值范围)的吸收电阻。
效率的明显降低是二极管导通电压引起的。与吸收貌似没有关系。但是吸收功率的变化情况还是令人费解的。
nc965
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  • 2010-8-18 10:03:33
 
八、漏感对吸收的影响
保持1000W功率、25KHz频率,改变变压器偶合系数(即改变漏感),分别观察在同样的吸收效果下达到最佳C2、R2配合时的情况



这个结果有点费解了,谁来解读一下?
1、较大的漏感不会降低效率?
2、较大的漏感增加输出电压(功率)?
3、较大的漏感需要一个较小的吸收电容配合一个较大的吸收电阻?
4、一个适当的漏感对应一个最大的吸收功率的同时对应一个最高的效率?

特别把三种漏感在浅吸收状态下(C2=200p、R2=1KΩ)的波形截图如下,看不能不看出什么端倪?

nc965
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  • 2010-9-9 21:16:14
 
九、设计参数的获得

RC吸收的设计方法的难点在于,最佳吸收参数与太多因素有关,比如漏感和变压器绕法、分布电感电容、器件等效电感电容、电流、电压等级、di/dt、dvdt、功率等级、频率等。即使同样的对二极管吸收,不同的二极管型号需要的吸收参数可能差距很大。我感觉很难推导出一个通用的计算公式出来。因此,工程上一般应该在通过计算或者仿真获得初步参数后,还必须根据实际布线在板调试获得最终设计参数。

原则是:使用尽量小的吸收功率获得尽量大的吸收效果。

一个RC吸收的典型设计(调试)过程:



这是对一个Boost二极管的RC吸收,其中Vd是二极管尖峰反压,Vk是开关管尖峰电压。
帝国
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  • 2010-9-12 13:44:58
 
colacocar
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  • 2011-12-8 15:48:38
 
jackxn
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  • 2010-9-30 20:04:01
 
好贴,很有帮助,谢谢!
zimingluo
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  • 2010-11-12 18:15:26
 
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蒋江黔
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  • 2011-12-8 16:50:24
 
难吗?难吗?为神马不去找特性阻抗?
不好意思,要多提几次特性阻抗,看家才会注意它
sx1103121
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  • 2012-12-28 10:32:32
 
看到了,事先申请我对 特性阻抗不是很懂,不过你可以自己开一个帖子来讨论的,不是吗?
pkk1989
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  • 2012-4-16 20:03:20
 
学到好多知识,谢谢楼主的讲解。
constant
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  • 2013-1-14 15:41:10
 
这里要标记一下,好贴
fengyi1999
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  • 2014-8-11 13:53:28
 
请教李工,最后算出来的R的功耗很小,但是瞬间电流尖峰很大,电阻很难选啊!电阻的瞬态降额不是很明白,求指点,谢谢!

fengyi1999
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  • 2014-8-11 13:54:47
 
这时我做的IGBT的RC吸收仿真,上面是吸收回路的电流,下图是IGBT的Vce
nc965
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  • 2014-8-11 16:42:41
 
Vce 尖峰仍然很高,如果没有其他问题,还应加强吸收,不过吸收方面仿真参数与实际有较大差别,应该以实际电路为准来调试。
关于吸收电阻,多是以散耗功率来衡量,温升可以接受即可。
fengyi1999
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  • 2014-8-12 11:51:09
 
IGBT的耐压是1700V,保持在1500以下不会有太大问题;再小了电流会很大,调小R使尖峰在100V以内时,吸收回路电流上千A,类似于雷击时的浪涌电流了,担心电阻(内部颗粒)的瞬间过压击穿,电容我也不认为它能过这么大冲击,纠结中!回头好好看看器件资料
nc965
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  • 2014-8-12 16:38:50
 
吸收回路电流上千A?多半是你的仿真软件不真
fengyi1999
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  • 2014-8-13 11:37:30
 
主回路是3000A,100ms;说错了!此前准备RCD吸收,结果瞬间D导通时上千A,现在改成RCD后几百A
pxbfeng
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  • 2019-1-9 19:39:53
 
李工,您这个2W电阻的成本会吓坏老板们的

nc965
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  • 2019-1-10 11:13:09
 
吸收电阻2W,对几KW的电源而言是最省的了。
pxbfeng
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初级工程师
  • 2019-1-9 19:43:42
 
李工,您这个2W电阻的成本会吓坏老板们的
edncb
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  • 2010-11-18 23:41:07
 
学习中!!
fymok
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  • 2011-7-27 16:49:30
 
学习了
qinth11
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  • 2011-8-8 10:34:26
 
对我的帮助很大
lcxlyc
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  • 2011-11-6 16:01:50
 
不好意思,插一下题外话,Saber 的仿真图为什么打不开,

yiweilang
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本网技师
最新回复
  • 2019-8-28 22:22:41
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sx1103121
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本网技师
  • 2012-12-28 10:33:09
 
学习了,谢谢您!
bridgnsl
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  • 2013-1-6 00:11:02
 
楼主的深入分析和仿真,的确是精神可嘉!
但是,对于电路的分析,应该建立在整体的基础上.为什么要RC吸收呢?假如器件的开关,不会干扰电路的其它部分,那么即使器件的开关产生了极大幅度的电压过冲和振荡,那又如何呢?无所谓的,反正器件的耐压电流等都已计算在额定范围内,无需担心什么.
的确,R越小则振荡越大,但是如果RC的阻抗在高频开关电压时远小于负载阻抗,那么负载或电路其它部分,就几乎没有受到开关干扰电压的影响,所以是没有问题的.就是说,R越小,C越大越好.而且R带来的损耗还是很小.
会闲吧
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  • 2013-1-12 13:22:20
 
为什么说R越小则真当越大?谢谢
bridgnsl
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  • 2013-1-12 13:42:31
 
R小则欠阻尼,或所谓的Q值增大。
blueskyy
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  • 2013-1-12 21:42:53
 
就是说,R越小,C越大越好.而且R带来的损耗还是很小.
请问前辈,这个“就是说”是怎么得出的呢?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-12 21:56:20
 
如上所述!
你有神马高见?
blueskyy
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总工程师
  • 2013-1-12 21:59:57
 
我是来向前辈请教的(认真的不是开玩笑)
您的“就是说”结论似乎和前面的分析没有必然关系(当然你前面的分析我是认同的)
不知道您为什么得出:C要大,R要小的结论~
bridgnsl
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LV8
副总工程师
  • 2013-1-12 22:03:19
 
因为泻放回路的阻抗越小越好,当然了这是理想的, 实际上还需,具体问题具体分析,如果发现10R+103为好,那就这样,如果1R+472为好,那就这样!试验结果为主!
nc965
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  • 2013-1-13 21:13:50
 
小伙子,还是个学生吧?没搞明白的事情不要随便发言,更不要随便下结论,这里的人精,好多都是搞电源很多年的,对一个自己都没搞明白的问题,你要多向他们请教,而不是轻率的凭想当然表态,显得很不成熟。
你说R宜小,C宜大,吸收效果就好,就是想当然,没搞清实物的本质,属于基本概念模糊。我曾经就见过有个人就是这么干的,以为R越小损耗就越小,C越大吸收就越厉害,结果弄得焦头烂额,交不了工。
什么基本概念?初中也许就学过:
R越小Q值越高是吧?Q值越高振幅(就是尖峰)越大是吧?地球人都知道,你不知道?
C越大频率越低是吧?同样功率下频率越低振幅越大是吧?地球人都知道,你不知道?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-14 12:18:02
 
是的,我刚幼儿园毕业,正上小学!
R,C的阻抗越小越好,是从产生最小干扰的角度来说的。
对于实际的电路,还要考虑开关和RC之间的问题,就是要考虑到S,R,C之间的分布电感问题。
如果分布电感为15nH,C为15nF,则R要大于2* L/C 的开方。即R〉2R,取2~10R为比较合适/
bridgnsl
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LV8
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  • 2013-1-14 12:27:31
 
对于分布参数的问题,严格来说要仿真或复杂的理论计算。但可能不容易,因为即使理论计算,也要有各种假设,假如这些假设同实际情况吻合的话,则人们就都承认了。
所以,如果能有一个继总参数的近似计算方法,那有接近实际情况,则最好不过。
这里,有两个假设,首先开关S断开时,把RC理想地看作0,这样开关产生的感应电压,被最大程度的减小。
其次,假设全部感应 电压都走RC路径,而无电流流入其他电路的情况下,则按集总参数的R〉2*L/C的开方选择。这样RC回路也没有震荡!
Understand?
幼儿园的都懂!
nc965
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  • 2013-1-14 22:13:01
 
看来你什么都懂,即使不懂也要硬撑着跟帖。你这样凭想当然随便说出来的道道,只适合那些从学校到书本的学生娃,既解决不了任何实际问题,对看贴的人也不会有任何帮助,甚至连回你的贴的冲动都没有。
看到有几个人在回你的贴,你没有感觉到人家的不削?你以为真在向你请教?这些人情世故都看不出来,就有点悲哀哟?
人还是要有点自知者明的好,知道的就说知道,不知道的就说不知道,很多人向我请教我拿不稳的问题,我经常说:“这个我不懂了,不好意思,帮不上你!”
这还不仅仅是说做人要诚实,而是说做人要低调、要有几分谦逊、几分敬畏、几分稳重、几分修养。
说自己不懂,我觉得不丢人,你觉得呢?你什么时候学会说这个话了,你才算成熟了。
蒋江黔
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  • 2013-1-15 08:44:17
 
bridgnsl
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  • 2013-1-15 12:24:30
 
并不否认你做得仿真,但给你个建议,看问题要注重全局,而不是孤立的局部!
关于RC吸收,这是本人的分析结果,你可以从技术的角度进行讨论。
人家的不懈,跟技术问题的探讨没有任何关系,你可以发表自己的看法,但没必要人身攻击。
说自己不懂,是一种不求上进的表现,发现问题,解决问题,即使不能完全解决也要尽力去做,不是因为不懂,所以就应该不懂了!


你要是能够从技术的角度,怎么探讨都没有关系。仅此而已!
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-15 12:38:07
 
问题是别人跟你讨论的来吗?如果你上过幼儿园,老师应该教过你,对于自己错了的事情,要用于认错并要向别人说声对不起呢?如果是,那么你仔细从下面这个帖子的41楼开始看,你觉得你是不是应该欠我一个道歉呢?http://bbs.liuxuesk.com/145435.html
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-15 13:00:57
 
说自己不懂就是不求上进的表现?每个人都有自己所擅长的所不擅长的,告诉别人不懂,可以让别人去找懂的人更快的解决问题。难道你什么都懂?那你有本事将论坛所有的疑问都解决掉,否则别说这样的大话。
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-15 13:02:15
 
尽力而为!
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-15 13:06:01
 
那么我是不是也可以说,尽力而为是一种不求上进的表现呢?当有任务的时候,回答尽力而为是不是也是一种敷衍呢?还有,75楼的问题,你是不是也可以一并回答了呢?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-15 13:15:16
 
嗯,你说的貌似很有道理的哦!
尽力而为石负责人的表现!
本人回答问题,是根据自己的经验,来回答的,就是已证明基本都是正确的!
所以如果你的经验还不是足够多的花,可能也许你还无法与本人抗衡!
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-15 13:18:48
 
1、我从没想过与你抗衡,因为我已经认为你跟我不在一个档次上。此为一
2、基本正确并不代表完全正确,因为你已经多次自己搬石头砸了自己的脚。
3、尽力不是负责任,尽力是推卸责任。
所以,我不是来跟你抗衡的,我是来教你怎么做人的。
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-15 13:19:58
 
你来教我做人?那么我不得和你变得一样了吗?
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-15 13:24:21
 
这个只能说明你理解错了,那么多老师教过你,你都跟他们一样了吗?
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-15 13:26:50
 
你要跟我进行,国际大专辩论比赛吗?
我可么那功夫!
nc965
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  • 2013-1-15 15:58:02
 
已经说了,没有跟你讨论技术问题的冲动,跟一个一知半解的人是没办法深入讨论问题的。
bridgnsl
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副总工程师
  • 2013-1-15 16:00:19
 
没冲动,那你还说什么?
实际行动(不说)比拟这里说这些更有说服力!
nc965
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  • 2013-1-15 16:11:51
 
年轻人,我跟你谈了技术问题吗?为什么不谈?感觉你就没有倾听别人意见的习惯,只会根据自己的一知半解在那里信口雌黄,谈了也是对牛弹琴。
cyx7610
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  • 2019-1-16 22:39:06
 
R是吸收充放电的回路。
YTDFWANGWEI
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  • 2013-1-14 14:46:51
 
就是说,R越小,C越大越好.而且R带来的损耗还是很小.
请问,这话要怎么理解?R带来的损耗还是很小是什么意思?R怎么带来的损耗?
bridgnsl
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  • 2013-1-14 20:40:13
 
理想地来看,RC为0 最好,但还得考虑过渡过程的时间问题,所以C不能太大。电阻R应该选择大于2*L/C的开方,以保证RC 回路不震荡。
cyx7610
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总工程师
  • 2019-2-21 18:45:33
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Vce 尖峰仍然很高,如果没有其他问题,还应加强吸收,不过吸收方面仿真参数与实际有较大差别,应该以实际电路为准来调试。
yuguang
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  • 2013-1-6 07:37:51
 
总结的太好了!致敬!!
bridgnsl
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  • 2013-1-6 14:04:22
 
XIAOTU80
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  • 2013-1-12 17:05:33
 
不错,顶一下!
lsjshengll
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助理工程师
  • 2013-1-14 14:40:23
 
为了前路
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本网技师
  • 2013-1-14 20:37:18
 
学习了,对于楼主的辛勤劳动,说声谢谢!
cxb1982
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高级工程师
  • 2013-1-14 21:33:17
 
经典~!~学习了!~
roc171
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  • 2013-1-14 21:58:34
 
学习学习
justbecause
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高级工程师
  • 2013-1-23 11:59:44
 
在我们实际调试时,不知道怎么选择RC的值。个人总结的一个调试方法:
1、不加RC,测量被吸收电压波形,看振荡频率多少。
2、只加C从小加起,测量被吸收电压波形,振荡频率减少到不加C的时候一半,以确定吸收电容C的大小。
3、根据C的选值,计算R的损耗,然后选择合适的R。
nc965
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  • 2013-1-23 12:25:28
 
这个方法有它的道理。
但是振荡频率减少一半,并不是调试目标,尖峰降到允许值、损耗可以接受才是调试目标。
如果这样调下来仍然不满意,还得继续调,再减小一半,或者再增加刚才一半的一半。数学上叫做线性逼近。
会闲吧
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助理工程师
  • 2013-1-24 01:29:55
 
请问如何根据C的选值来计算R的损耗,有计算公式么,谢谢
fengyi1999
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初级工程师
  • 2014-8-11 13:49:30
 
RC放电有放电时间常数,放电时间小于开通时间的1/3即可
roc171
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高级工程师
  • 2013-1-24 11:42:21
 
楼主好厉害呀

rener188
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本网技师
  • 2013-1-26 19:52:17
 
学习学习
haijianwei2009
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  • 2013-2-22 09:08:05
 
yanpm
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副总工程师
  • 2013-2-22 19:17:36
 
Mark学习,强帖顶,虽然来得晚了些
HXA_SQGL
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本网技师
  • 2014-7-30 16:47:37
 
zy550sc
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  • 2014-8-25 03:59:52
 
留个记号
一线光辉
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  • 2015-3-25 11:36:33
 
逛一圈
heyufeng318
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助理工程师
  • 2018-11-17 10:17:34
 
楼主  这个吸收有更直接的调试方法吗  里面好像讲的比较抽象,看不太懂啊
nc965
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  • 2018-11-17 15:14:44
 
116楼最后两段话就是调试方法,典型案例见20楼,感觉还是很简单明了的。
咯吱咯吱嘎嘣脆
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助理工程师
  • 2018-11-19 20:55:37
 
学习学习
heyufeng318
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助理工程师
  • 2018-12-3 20:30:17
 
请问一下推挽ZVZCS的DS尖峰能用这样的方法吸收吗
nc965
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  • 2018-12-3 20:31:18
 
看看你的推挽ZVZCS
heyufeng318
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助理工程师
  • 2018-12-6 18:55:37
 

nc965
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  • 2018-12-6 20:19:13
 
都ZVZCS了还有VDS尖峰?看看波形
dxh2002
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本网技师
  • 2019-1-17 10:04:48
 
感谢楼主
lrh_6215
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高级工程师
  • 2019-1-21 15:04:32
  • 倒数10
 
多谢楼主奉献这么好的资料
我是趴圣
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助理工程师
  • 2019-2-19 11:26:50
  • 倒数9
 
李工,问一个算是和帖子搭边的问题:反激的次级二极管的反向电压的问题,现在有一个机,277V正常工作的时候反向的电压480V(115V输出的,150W两级反激),然后我短路输出,前面几个波形能飙到740V,然后稳定后650V的样子,调RC吸收好像没明显的效果,但是整机效率却是变化的很明显。所以想问一下,这个我该怎么去调整啊,RC吸收我都不敢动了,效率影响太大了(能从92.5降到90)。跪求教育!!!!!!

F2IH29LQD31815~}[QVK{_S.jpg (115.47 KB, 下载次数: 22)

正常工作

正常工作

7H[`44(M1L`43]_A%VX@836.jpg (114.39 KB, 下载次数: 18)

短路输出

短路输出
nc965
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  • 2019-2-19 21:07:29
  • 倒数8
 
站内搜索,葵花宝典,消除副边二极管反压尖峰
kingr
  • kingr
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助理工程师
  • 2019-2-21 16:56:38
  • 倒数7
 
谢谢分享!一直想搞清楚!
zxs2000
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高级工程师
  • 2019-3-30 15:28:42
  • 倒数3
 
谢谢分享                 
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