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分享论文:《六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究》

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世纪电源网-SUN
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LV6
高级工程师
  • 2019-7-22 15:27:48
      氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程,以及考虑到大尺寸、低成本等优势,在Si衬底上进行GaN材料的异质外延及器件制备已经成为业界主要技术路线。详细介绍了在6英寸Si衬底上外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构功率电子材料,以及基于6英寸CMOS产线制造Si基GaN功率MIS-HEMT和常关型Cascode GaN器件的相关成果。


欢迎大家下载学习:
      六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究.pdf (1.8 MB, 下载次数: 8)


作者单位E-mail
何亮中山大学电子与信息工程学院,广州510275
江苏华功半导体秒速时时彩,苏州215215
张晓荣江苏华功半导体秒速时时彩,苏州215215
倪毅强中山大学电子与信息工程学院,广州510275
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罗睿宏江苏华功半导体秒速时时彩,苏州215215
李柳暗中山大学电子与信息工程学院,广州510275
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张佰君中山大学电子与信息工程学院,广州510275
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刘扬中山大学电子与信息工程学院,广州510275
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liuy69@mail.sysu.edu.cn




论文出处:中 国电源学会——电源学报


hello521
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LV8
副总工程师
  • 2019-7-22 18:01:46
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谢谢分享!!
世纪电源网-SUN
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LV6
高级工程师
  • 2019-7-23 10:38:58
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好资料    谢谢分享              
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