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SI、SIC、GaN材料MOS的驱动电路设计有什么不同?

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DDqc2015
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LV6
高级工程师
  • 2019-8-29 21:11:11
10问答币
SI、SIC、GaN材料MOS的器件本身的区别在哪里?它们驱动电路的设计有什么不同?
闪烁
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版主
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  • 2019-8-30 09:31:10
  • 倒数1
 
Si、SIC、GaN最佳的工作频率不一样,比如Si和SCI都是百K级别,GaN是M级别;设计驱动时要考虑开关频率问题,比如你用的驱动电路只能到百K级别,用来驱动M级别的GaN,驱动波形失真太严重;
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